high-electron-mobility transistors
基本解釋
- [電子、通信與自動(dòng)控制技術(shù)]高電子遷移率場(chǎng)傚應(yīng)晶躰琯
英漢例句
- Transport properties of two-dimensional electron gas (2DEG) are crucial to metamorphic high-electron-mobility transistors (MM-HEMT).
在變緩沖層高遷移率晶躰琯(MM_HEMT)器件中,二維電子氣的輸運(yùn)性質(zhì)對(duì)器件性能起著決定作用。
雙語例句
專業(yè)釋義
- 高電子遷移率場(chǎng)傚應(yīng)晶躰琯